MOS通用驱动电路分析

在做电源或驱动时，功率器件MOS管是我们最常用的器件。使用MOS管时，如果对MOS管的某些参数考虑不周，电路通常是无法工作。

HI-SEMICON经典MOS管驱动电路分析

MOS管广泛的应用在我们熟知的电路中，比如开关电源，电动马达、照明调光等驱动电路中。在这里应用中，我们使用的一般是低压MOS管。与低压MOS管对应的，便是高压MOS管，这两种MOS管的分类是以电压来分类的。通常高压MOS管电压在400V-1000V左右，能提供有效的锁定保护运行，采用CMOS技术，与双极驱动器相比，功耗低，运行效率高，还可以提升系统的可靠性。低压MOS管电压在1V-40V左右，有高速度、高性能、低功耗、低导通电阻、小封装等优势，适合保护电路和开关电路。

电路分析

V_L和V_H分别是低端和高端的电源，两个电压可以是相同的，但是V_L不应该超过V_H。

Q1和Q2组成了一个反置的图腾柱，用来实现隔离，同时确保两只驱动管Q3和Q4不会同时导通。

R2和R3提供了PWM电压基准，通过改变这个基准，可以让电路工作在PWM信号波形比较陡直的位置。

Q3和Q4用来提供驱动电流，由于导通的时候，Q3和Q4相对Vh和GND最低都只有一个V_CE的压降，这个压降通常只有0.3V左右，大大低于0.7V的V_CE。

R5和R6是反馈电阻，用于对gate电压进行采样，采样后的电压通过Q5对Q1和Q2的基极产生一个强烈的负反馈，从而把gate电压限制在一个有限的数值。这个数值可以通过R5和R6来调节。

最后，R1提供了对Q3和Q4的基极电流限制，R4提供了对MOS管的gate电流限制，也就是Q3和Q4的Ice的限制。必要的时候可以在R4上面并联加速电容。

这个电路提供了如下的特性：

·用低端电压和PWM驱动高端MOS管；

·用小幅度的PWM信号驱动高gate电压需求的MOS管；

·gate电压的峰值限；

·输入和输出的电流限制；

·通过使用合适的电阻，可以达到很低的功耗。

·PWM信号反相。NMOS并不需要这个特性，可以通过前置一个反相器来解决。